朝展金屬專業(yè)生產上等的雙金屬復合鋼線 金屬封裝材料（可伐線，銅芯線 ）（可伐，銅芯可伐）其復合鋼絲中芯為無氧銅，外無縫套接4J50,4J29等膨脹可伐合金。
金屬封裝時采用金屬作為殼體或底座，芯片直接或者通過基板安裝在外殼或底座上，引線穿過金屬殼體或底座，目前電子封裝形式大多采用玻璃—金屬封接技術。這種技術廣泛用于混合電路的封裝，主要是精密電子的專用氣密封裝，在許多領域，尤其是在**及航空航天領域得到了廣泛的應用。 金屬封裝形式多樣、加工靈活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A轉換器)融合為一體，適合于低I／O數(shù)的單芯片和多芯片的用途，也適合于射頻、微波、光電、聲表面波和大功率器件，可以滿足小批量、高可靠性的要求。此外，為解決封裝的散熱問題，各類封裝也大多使用金屬作為熱沉和散熱片。
1 傳統(tǒng)金屬封裝材料及其局限性
傳統(tǒng)金屬封裝材料包括Al、Cu、Mo、W、鋼、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等，它們的主要性能如下：
1．1 銅、鋁
純銅也稱之為無氧高導銅(OFHC)，電阻率1.72μΩ·cm，僅次于銀。它的熱導率為401W(m-1K-1)，從傳熱的角度看，作為封裝殼體是非常理想的，可以使用在需要高熱導和／或高電導的封裝里，然而，它的熱膨脹系數(shù)高達16．5×10-6K-1，可以在剛性粘接的陶瓷基板上造成很大的熱應力。
鋁及其合金重量輕、價格低、易加工，具有很高的熱導率，在25℃時為237W(m-1K-1)，是常用的封裝材料，通?？梢宰鳛槲⒉呻娐?MIC)的殼體。但鋁的熱膨脹系數(shù)更高，為23．2×10-6K-1，與Si(4．1×10-6K-1)和GaAs(5.8 ×10-6K-1)相差很大，器件工作日寸的熱循環(huán)常會產生較大的熱應力，導致失效。
1．2 鎢、鉬
Mo的熱膨脹系數(shù)為5．35×10-6K-1，與可伐和Al2O3非常匹配，它的熱導率相當高，為138 W(m-K-1)，故常作為氣密封裝的底座與可伐的側墻焊接在一起，用在很多中、高功率密度的金屬封裝中。Mo作為底座的一個主要缺點在于平面度較差，另一個缺點是在于它重結晶后的脆性。W具有與Si和GaAs相近的熱膨脹系數(shù)，且導熱性很好，可用于芯片的支撐材料，但由于加工性、可焊性差，常需要在表面鍍覆其他金屬，使工藝變得復雜且可靠性差。W、Mo價格較為昂貴，不適合大量使用。此外密度較大，不適合航空、航天用途。
1．3 鋼
10號鋼熱導率為49．8 W(m-1K-1)，大約是可伐合金的三倍，它的熱膨脹系數(shù)為12．6×10-6K-1，與陶瓷和半導體的熱膨脹系數(shù)失配，可與軟玻璃實現(xiàn)壓縮封接。不銹鋼主要使用在需要耐腐蝕的氣密封裝里，不銹鋼的熱導率較低，如430不銹鋼(Fe-18Cr，中國牌號1J118)熱導率僅為26．1 W(m-1K-1)。
1．4 可伐
可伐合金(Fe-29Ni-17Co，中國牌號4J29)的熱膨脹系數(shù)與Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的熱膨脹系數(shù)較為接近，具有良好的焊接性、加工性，能與硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金屬封裝中得到*廣泛的使用。但由于其熱導率低，電阻率高，密度也較大，使其廣泛應用受到了很大限制。 1．5 Cu／W和Cu／Mo
為了降低Cu的熱膨脹系數(shù)，可以將銅與熱膨脹系數(shù)數(shù)值較小的物質如Mo、W等復合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬復合材料。這些材料具有高的導電、導熱性能，同時融合W、Mo的低熱膨脹系數(shù)、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的熱膨脹系數(shù)可以根據(jù)組元相對含量的變化進行調整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。另一個缺點是由于W的百分含量高而導致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。但密度大也使Cu／W具有對空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。
2． Cu基復合材料
純銅具有較低的退火點，它制成的底座出現(xiàn)軟化可以導致芯片和／或基板開裂。為了提高銅的退火點，可以在銅中加入少量Al2O3、鋯、銀、硅。這些物質可以使無氧高導銅的退火點從320℃升高到400℃，而熱導率和電導率損失不大。
Cu基復合材料還可以采用C纖維、B纖維等、SiC顆粒、AlN顆粒等材料做增強體。如碳纖維(經高溫處理可轉化為石墨纖維)CTE在-1×10-6—2×10-6K-1，具有很高的彈性模量和軸向熱導率，P120、P130碳纖維軸向的熱導率分別為640W(m-1K-1)和1100W(m-1K-1)，而用CVD方法生產的碳纖維其熱導率高達2000W(m-1K-1)。因而用碳纖維(石墨纖維)增強的銅基復合材料在高功率密度應用領域很有吸引力。與銅復合的材料沿碳纖維長度方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纖維長度方向的CTE為8×10-6K-1,熱導率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長度方向的熱導率至少低一個數(shù)量級。所以用作封裝的底座或散熱片時，這種復合材料把熱量帶到下**時，并不十分有效，但是在散熱方面是極為有效的。這與纖維本身的各向異性有關，纖維取向以及纖維體積分數(shù)都會影響復合材料的性能。
在Cu／Mo基礎上生產用于玻璃與金屬封接的銅芯引線，銅芯外邊可以是52合金(Fe-50Ni，中國牌號4J50)、可伐合金(Fe-29Ni-17Co)、42-6合金(Fe-42Ni-6Cr，中國牌號4J6)和446不銹鋼(Fe-24Cr)等膨脹材料。二者之間完全冶金結合，具有良好的機械強度、韌性和氣密性，既提供了銅的高導電能力，又提供了膨脹材料與玻璃氣密封接能力。銅芯與低膨脹合金半徑可以是任何比值，標準比值是2：1和3：1。在比值為3：1時，銅芯引線的導電率為14％IACS，即電阻率為12μΩ·cm。3 結論
隨著金屬封裝材料（可伐，銅芯可伐）朝著高性能、低成本、低密度和集成化方向的發(fā)展，對金屬封裝材料提出越來越高的要求，金屬基復合材料將為此發(fā)揮著越來越重要的作用，因此，國內朝展高性能對金屬基復合材料的研究將會加大力度。
